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Détails sur le produit:
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Matériel: | Nitrure de silicium Si3n4 | Taille: | adapté aux besoins du client |
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Couleur: | Noir | Caractéristiques: | dureté élevée ; résistance à la corrosion élevée ; faible densité ; stabilité dans un large éventail |
Mettre en évidence: | Céramique de nitrure du silicium Si3N4,céramique de nitrure du silicium 3.3g/cm3,nitrure du silicium 3.3g/cm3 Si3N4 |
Nitrures de silicium (SI3N4) comportez une excellente combinaison des propriétés matérielles. Elles sont presque aussi légères que le carbure de silicium (sic), mais leur microstructure leur donne l'excellente résistance de choc thermique et leur dureté élevée de fracture les rend résistantes aux impacts et aux chocs.
Toutes ces combinaisons rendent le matériel irremplaçable dans la production des produits anticorrosion, résistants à l'usure et résistants à la chaleur pour un grand choix d'industries.
Propriétés | Marque de matériel |
Composition | SN |
Si3N4 | |
Densité, g/sm3 | 3,2-3,3 |
Porosité d'isolement, % | 0 |
Dureté, GPa | 13,5-14,0 |
Résistance à la flexion, MPA | 280-310 |
Résistance à la pression, MPA | 3700-3900 |
Conduction thermique à 20-100°С, W/mK | 20-30 |
Coefficient de dilatation thermique linéaire à 20-1000°С, 10-6 К-1 | 2,6-3,3 |
°С maximum de température de fonctionnement Environnement oxydant Réduction ou environnement inerte |
1200 160 |
Le nitrure de silicium a rapporté des données
Composante principale | 99%Al2O3 | S-SIC | ZrO2 | Si3N4 | ||
Physique Propriété |
Densité | g/cm3 | 3,9 | 3,1 | 6 | 3,2 |
Absorption d'eau | % | 0 | 0,1 | 0 | 0,1 | |
La température d'agglomération | °C | 1700 | 2200 | 1500 | 1800 | |
Mécanique Propriété |
Dureté de Rockwell | HT | 1700 | 2200 | 1300 | 1400 |
Force de courbure | kgf/mm2 | 3500 | 4000 | 9000 | 7000 | |
Intensité de compression | Kgf/mm2 | 30000 | 20000 | 20000 | 23000 | |
Courant ascendant Propriété |
Fonctionnement maximum la température |
°C | 1500 | 1600 | 1300 | 1400 |
dilatation thermique coefficient 0-1000°C |
/°C | 8.0*10-6 | 4.1*10-6 (0-500°C) | 9.5*10-6 | 2.0*10-6 (0-500°C) | |
5.2*10-6 (500-1000°C) | 4.0*10-6 (500-1000°C) | |||||
Résistance de choc thermique | T (°C) | 200 | 250 | 300 | 400-500 | |
Conduction thermique | W/m.k (25°C | 31 | 100 | 3 | 25 | |
300°C) | 16 | 100 | 3 | 25 | ||
Élém. élect. Propriété |
Taux de résistance de volume | ◎.cm | ||||
20°C | >1012 | 106-108 | >1010 | >1011 | ||
100°C | 1012-1013 | – | – | >1011 | ||
300°C | >1012 | – | – | >1011 | ||
Panne d'isolation Intensité |
KV/mm | 18 | semi-conducteur | 9 | 17,7 | |
Constante diélectrique (1 mégahertz) | (e) | 10 | – | 29 | 7 | |
Dissipation diélectrique | (tg o) | 0.4*10-3 | – | – | – |
Personne à contacter: Daniel
Téléphone: 18003718225
Télécopieur: 86-0371-6572-0196