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Dispositif optoélectronique Wafer SiC pour diodes électroluminescentes

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Dispositif optoélectronique Wafer SiC pour diodes électroluminescentes

Dispositif optoélectronique Wafer SiC pour diodes électroluminescentes
Dispositif optoélectronique Wafer SiC pour diodes électroluminescentes

Image Grand :  Dispositif optoélectronique Wafer SiC pour diodes électroluminescentes

Détails sur le produit:
Lieu d'origine: La Chine
Nom de marque: ZG
Certification: CE
Numéro de modèle: Milliseconde
Conditions de paiement et expédition:
Quantité de commande min: 1 morceau
Prix: USD10/piece
Détails d'emballage: Boîte en bois forte pour l'expédition globale
Délai de livraison: 3 jours ouvrables
Conditions de paiement: L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Capacité d'approvisionnement: 10000 morceaux par mois
Contact

Dispositif optoélectronique Wafer SiC pour diodes électroluminescentes

description de
Application: Dispositif de puissance élevée Dispositif optoélectronique d'épitaxie de GaN de dispositif Diode éle Diamètre: Ø 1"/Ø 2"/Ø 3"/Ø 4"/Ø 6"
Épaisseur: 330 um | 350 um Catégorie: Catégorie de production/catégorie de recherches
Mettre en évidence:

Dispositif optoélectronique Wafer SiC

,

Wafer SiC pour diodes électroluminescentes

Gaufrette de SIC

La gaufrette de semi-conducteur, inc. (SWI) fournit la gaufrette de haute qualité de monocristal sic (carbure de silicium) à l'industrie électronique et optoélectronique. Sic la gaufrette est un matériel de semi-conducteur de prochaine génération, avec les propriétés électriques uniques et les excellentes propriétés thermiques, comparées à la gaufrette de silicium et à la gaufrette de GaAs, sic gaufrette est plus appropriée à l'application de dispositif de haute température et de puissance élevée. Sic la gaufrette peut être fournie de diamètre 2 pouces, 4H et 6H sic, de type n, azote enduit, et type semi-isolant disponible. Veuillez nous contacter pour plus d'information produit.

Sic application de gaufrette

Dispositif à haute fréquence Dispositif à hautes températures
Dispositif de puissance élevée Dispositif optoélectronique
Dispositif d'épitaxie de GaN Diode électroluminescente

Sic propriétés de gaufrette

Polytype 6H-SiC 4H-SiC
Ordre de empilement en cristal ABCABC ABCB
Paramètre de trellis a=3.073A, c=15.117A a=3.076A, c=10.053A
Bande-Gap eV 3,02 eV 3,27
Constante diélectrique 9,66 9,6
Index de réfraction n0 =2.707, Ne =2.755 Ne =2.777 de n0 =2.719

Spécifications produit

Polytype 4H / 6H
Diamètre Ø 2"/Ø 3"/Ø 4"
Épaisseur 330 um | 350 um
Orientation Sur l'axe <0001> /outre de l'axe <0001> outre de 4°
Conductivité N - type/semi-isolant
Dopant N2) (d'azote/V (vanadium)
Résistivité (4H-N) 0,015 | 0,03 ohm-cm
Résistivité (6H-N) 0,02 | 0,1 ohm-cm
Résistivité (SI) > 1E5 ohm-cm
Surface Le CMP a poli
TTV <>
Arc/chaîne <>
Catégorie Catégorie de production/catégorie de recherches

Produit Tag:

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Coordonnées
HENAN ZG INDUSTRIAL PRODUCTS CO.,LTD

Personne à contacter: Daniel

Téléphone: 18003718225

Télécopieur: 86-0371-6572-0196

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