2um - silicium en céramique technique des pièces 300um sur l'isolateur SOI Wafer

SOI Wafer (Silicium-sur-isolateur)

Nous fournit la gaufrette de haute qualité de SOI (Silicium-sur-isolateur) pour un grand choix d'application fabrication comprenant MEMS, dispositif de puissance, capteurs de pression et de CMOS circuit intégré. La gaufrette de SOI fournissent une solution potentielle pour le dispositif de consommation de grande vitesse et de puissance faible et ont été largement reconnues comme nouvelle solution pour la haute tension et les composants de rf. La gaufrette de SOI est une structure de sandwich comprenant une couche de dispositif (couche active) sur le dessus, une couche enterrée d'oxyde (couche SiO2 isolante) au milieu, et une gaufrette de poignée (silicium en vrac) au fond. Des gaufrettes de SOI sont produites à l'aide de SIMOX et de technologie de collage de gaufrette pour réaliser le diluant et la couche précise de dispositif et pour assurer la condition de l'uniformité d'épaisseur et de la basse densité de défaut. Nous pouvons fournir à la gaufrette de SOI de diamètre 4" et 8" l'épaisseur flexible et le grand choix de résistivité pour répondre à vos exigences uniques de SOI. Contactez-nous pour d'autres informations produit de SOI.

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