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Arséniure de gallium simple de gaufrette de Crystal Polycrystalline GaAs pour le circuit à micro-ondes de LD LED

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Arséniure de gallium simple de gaufrette de Crystal Polycrystalline GaAs pour le circuit à micro-ondes de LD LED

Arséniure de gallium simple de gaufrette de Crystal Polycrystalline GaAs pour le circuit à micro-ondes de LD LED
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Image Grand :  Arséniure de gallium simple de gaufrette de Crystal Polycrystalline GaAs pour le circuit à micro-ondes de LD LED

Détails sur le produit:
Lieu d'origine: La Chine
Nom de marque: ZG
Certification: CE
Numéro de modèle: Milliseconde
Conditions de paiement et expédition:
Quantité de commande min: 1 morceau
Prix: USD10/piece
Détails d'emballage: Boîte en bois forte pour l'expédition globale
Délai de livraison: 3 jours ouvrables
Conditions de paiement: L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Capacité d'approvisionnement: 10000 morceaux par mois

Arséniure de gallium simple de gaufrette de Crystal Polycrystalline GaAs pour le circuit à micro-ondes de LD LED

description de
Application: faire le LD, la LED, le circuit à micro-ondes et les demandes de pile solaire Diamètre: Ø 2"/Ø 3"/Ø 4"
Épaisseur: 350 um | 625 um Catégorie: Epi a poli la catégorie/catégorie mécanique
Mettre en évidence:

Gaufrette polycristalline de GaAs

,

Crystal Gallium Arsenide simple

,

Arséniure de gallium pour LD LED

Gaufrette monocristal et polycristalline de GaAs (arséniure de gallium) pour faire LD, LED, circuit à micro-ondes, pile solaire

 

Nous fournit la gaufrette monocristal et polycristalline de GaAs (arséniure de gallium) à l'industrie d'optoélectronique et de microélectronique pour faire le LD, la LED, le circuit à micro-ondes et les demandes de pile solaire, dans la gamme de diamètre à partir de 2" à 4". Nous offrons la gaufrette du monocristal GaAs produite par deux techniques principales LEC de croissance et méthode de VGF, nous permettant de fournir à des clients le choix le plus large du matériel de GaAs l'uniformité élevée des propertirs électriques et de l'excellente qualité extérieure. L'arséniure de gallium peut être fourni comme lingots et gaufrettes polies, conduisant et la gaufrette semi-isolante de GaAs, la catégorie mécanique et la catégorie prête sont toutes d'epi disponibles. Nous pouvons offrir la gaufrette de GaAs avec la valeur basse d'EPD et la qualité extérieure élevée appropriée à vos applications de MOCVD et de MBE, svp nous contactent pour plus d'information produit.

 

 

Caractéristique et application de gaufrette de GaAs

 

Caractéristique Champ d'application
Mobilité des électrons élevée Diodes électroluminescentes
Haute fréquence Diodes lasers
Efficacité de conversion élevée Dispositifs photovoltaïques
Consommation de puissance faible Haut transistor de mobilité des électrons
Espace de bande direct Transistor bipolaire d'hétérojonction

 

Spécifications produit

 
Croissance LEC/VGF
Diamètre Ø 2"/Ø 3"/Ø 4"
Épaisseur 350 um | 625 um
Orientation <100> / <111> / <110> ou d'autres
Conductivité P - type/N - type/semi-isolant
Dopant Zn/SI/non dopé
Surface Un côté a poli ou deux côtés polis
Concentration 1E17 | 5E19 cm-3
TTV <>
Arc/chaîne <>
Catégorie Epi a poli la catégorie/catégorie mécanique

 

Arséniure de gallium simple de gaufrette de Crystal Polycrystalline GaAs pour le circuit à micro-ondes de LD LED 0

Coordonnées
HENAN ZG INDUSTRIAL PRODUCTS CO.,LTD

Personne à contacter: Daniel

Téléphone: 18003718225

Télécopieur: 86-0371-6572-0196

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