Détails sur le produit:
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Application: | faire le LD, la LED, le circuit à micro-ondes et les demandes de pile solaire | Diamètre: | Ø 2"/Ø 3"/Ø 4" |
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Épaisseur: | 350 um | 625 um | Catégorie: | Epi a poli la catégorie/catégorie mécanique |
Mettre en évidence: | Gaufrette polycristalline de GaAs,Crystal Gallium Arsenide simple,Arséniure de gallium pour LD LED |
Gaufrette monocristal et polycristalline de GaAs (arséniure de gallium) pour faire LD, LED, circuit à micro-ondes, pile solaire
Nous fournit la gaufrette monocristal et polycristalline de GaAs (arséniure de gallium) à l'industrie d'optoélectronique et de microélectronique pour faire le LD, la LED, le circuit à micro-ondes et les demandes de pile solaire, dans la gamme de diamètre à partir de 2" à 4". Nous offrons la gaufrette du monocristal GaAs produite par deux techniques principales LEC de croissance et méthode de VGF, nous permettant de fournir à des clients le choix le plus large du matériel de GaAs l'uniformité élevée des propertirs électriques et de l'excellente qualité extérieure. L'arséniure de gallium peut être fourni comme lingots et gaufrettes polies, conduisant et la gaufrette semi-isolante de GaAs, la catégorie mécanique et la catégorie prête sont toutes d'epi disponibles. Nous pouvons offrir la gaufrette de GaAs avec la valeur basse d'EPD et la qualité extérieure élevée appropriée à vos applications de MOCVD et de MBE, svp nous contactent pour plus d'information produit.
Caractéristique et application de gaufrette de GaAs
Caractéristique | Champ d'application |
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Mobilité des électrons élevée | Diodes électroluminescentes |
Haute fréquence | Diodes lasers |
Efficacité de conversion élevée | Dispositifs photovoltaïques |
Consommation de puissance faible | Haut transistor de mobilité des électrons |
Espace de bande direct | Transistor bipolaire d'hétérojonction |
Spécifications produit
Croissance | LEC/VGF |
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Diamètre | Ø 2"/Ø 3"/Ø 4" |
Épaisseur | 350 um | 625 um |
Orientation | <100> / <111> / <110> ou d'autres |
Conductivité | P - type/N - type/semi-isolant |
Dopant | Zn/SI/non dopé |
Surface | Un côté a poli ou deux côtés polis |
Concentration | 1E17 | 5E19 cm-3 |
TTV | <> |
Arc/chaîne | <> |
Catégorie | Epi a poli la catégorie/catégorie mécanique |
Personne à contacter: Daniel
Téléphone: 18003718225
Télécopieur: 86-0371-6572-0196