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Détails sur le produit:
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Application: | LED rouges, jaunes, et vertes (diodes électroluminescentes) | Diamètre: | Ø 2"/Ø 3" |
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Épaisseur: | 500 um | 625 um | Catégorie: | Epi a poli la catégorie/catégorie mécanique |
Mettre en évidence: | InAs Wafer Indium Arsenide,2 pouces InAs Wafer,Arséniure d'indium de 2 pouces |
Gaufrette d'InAs (arséniure d'indium)
Nous fournit la gaufrette d'InAs (arséniure d'indium) à l'industrie d'optoélectronique de diamètre jusqu'à 2 pouces. Le cristal d'InAs est un composé constitué par 6N pur dans et comme l'élément et est développé par la méthode encapsulée liquide de Czochralski (LEC) avec EPD < 15000="" cm="" -3="">
Gaufrette composée d'III-V
Nous fournit un large éventail de gaufrette composée comprenant la gaufrette de GaAs, la gaufrette de Gap, la gaufrette de GaSb, la gaufrette d'InAs, et la gaufrette d'INP.
Élém. élect. et enduisant des spécifications
Spécifications produit
Croissance | LEC |
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Diamètre | Ø 2"/Ø 3" |
Épaisseur | 500 um | 625 um |
Orientation | <100> / <111> / <110> ou d'autres |
Outre de l'orientation | Outre de 2° à 10° |
Surface | Un côté a poli ou deux côtés polis |
Options plates | EJ ou SEMI. Norme. |
TTV | <> |
EPD | <> |
Catégorie | Epi a poli la catégorie/catégorie mécanique |
Paquet | Conteneur simple de gaufrette |
Personne à contacter: Daniel
Téléphone: 18003718225
Télécopieur: 86-0371-6572-0196