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Aperçu ProduitsPièces en céramique techniques

500Um à 625Um GaAs a basé la catégorie mécanique de catégorie polie par gaufrette d'Epi

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500Um à 625Um GaAs a basé la catégorie mécanique de catégorie polie par gaufrette d'Epi

500Um à 625Um GaAs a basé la catégorie mécanique de catégorie polie par gaufrette d'Epi
500Um à 625Um GaAs a basé la catégorie mécanique de catégorie polie par gaufrette d'Epi 500Um à 625Um GaAs a basé la catégorie mécanique de catégorie polie par gaufrette d'Epi 500Um à 625Um GaAs a basé la catégorie mécanique de catégorie polie par gaufrette d'Epi 500Um à 625Um GaAs a basé la catégorie mécanique de catégorie polie par gaufrette d'Epi

Image Grand :  500Um à 625Um GaAs a basé la catégorie mécanique de catégorie polie par gaufrette d'Epi

Détails sur le produit:
Lieu d'origine: La Chine
Nom de marque: ZG
Certification: CE
Numéro de modèle: Milliseconde
Conditions de paiement et expédition:
Quantité de commande min: 1 morceau
Prix: USD10/piece
Détails d'emballage: Boîte en bois forte pour l'expédition globale
Délai de livraison: 3 jours ouvrables
Conditions de paiement: L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Capacité d'approvisionnement: 10000 morceaux par mois
Contact

500Um à 625Um GaAs a basé la catégorie mécanique de catégorie polie par gaufrette d'Epi

description de
Application: la microélectronique, optoélectronique et micro-onde de rf Diamètre: Ø 3"/Ø 4" gaufrette de GaAs
Épaisseur: 500 um | 625 um Catégorie: Epi a poli la catégorie/catégorie mécanique
Mettre en évidence:

La GaAs a basé la gaufrette d'Epi

,

gaufrette de 625Um Epi

,

Epiwafer poli de catégorie

 

 

La GaAs a basé la gaufrette d'Epi

 

Nous fournit la croissance épitaxiale de MBE/MOCVD de la structure faite sur commande sur le substrat de GaAs pour la microélectronique, optoélectronique et applications de micro-onde de rf, de diamètre Ø 3" à Ø 4". Avec notre expérience étendue de MOCVD, nous pouvons élever l'alliage binaire (Lt-GaAs, hélas) ou l'alliage ternaire (AlGaAs, InGaAs, GaAsP, InGaP) sur le substrat de GaAs, des structures de super-réseau de couche de singel ou de multiple-couche avec la qualité cristalline supérieure pour répondre à un grand choix de besoins de dispositif. Nos experts fortement qualifiés peuvent travailler avec vous pour concevoir et optimiser votre structure de couche d'epi de GaAs. Veuillez nous contacter pour plus d'information produit ou discutez votre structure de couche d'epi.

La GaAs a basé la capacité de gaufrette d'Epi

Nos réacteurs sont configurés pour un grand choix de systèmes matériels et de conditions de traitement. Nous pouvons fournir l'épitaxie faite sur commande pour un grand choix d'applications de dispositif s'étendant de la LED aux HEMTs.
 

Capacité matérielle Substrat Taille de gaufrette
GaAs/GaAs Gaufrette de GaAs Jusqu'à 4 pouces
Lt-GaAs/GaAs Gaufrette de GaAs Jusqu'à 4 pouces
Hélas/GaAs Gaufrette de GaAs Jusqu'à 4 pouces
InAs/GaAs Gaufrette de GaAs Jusqu'à 4 pouces
AlGaAs/GaAs Gaufrette de GaAs Jusqu'à 4 pouces
InGaAs/GaAs Gaufrette de GaAs Jusqu'à 4 pouces
InGaP/GaAs Gaufrette de GaAs Jusqu'à 4 pouces
GaAsP/GaAs Gaufrette de GaAs Jusqu'à 4 pouces

 

Applications optoélectroniques :

Détecteurs photoélectriques, VCSELs, diodes lasers, LED, SOAs, guides d'ondes.

Applications électroniques :

FETs, HBTs, HEMTs, diodes, dispositifs à micro-ondes.

 

 

Structure de couche d'Epi (HEMT/HBT)

 
Croissance MOCVD
Source de dopant Le type de P/soit, le type de N/SI
Couche de chapeau Couche je-GaAs
Couche active couche de n-AlGaAs
Couche de l'espace couche d'i-AlGaAs
Couche de tampon Couche je-GaAs
Substrat Ø 3"/Ø 4" gaufrette de GaAs

 

Produit Tag:

Creuset en céramique de l'alumine SiO2,

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Céramique Al2O3 de la grande pureté 99%

Coordonnées
HENAN ZG INDUSTRIAL PRODUCTS CO.,LTD

Personne à contacter: Daniel

Téléphone: 18003718225

Télécopieur: 86-0371-6572-0196

Envoyez votre demande directement à nous (0 / 3000)

À propos

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