Détails sur le produit:
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Application: | la microélectronique, optoélectronique et micro-onde de rf | Diamètre: | Ø 3"/Ø 4" gaufrette de GaAs |
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Épaisseur: | 500 um | 625 um | Catégorie: | Epi a poli la catégorie/catégorie mécanique |
Mettre en évidence: | La GaAs a basé la gaufrette d'Epi,gaufrette de 625Um Epi,Epiwafer poli de catégorie |
La GaAs a basé la gaufrette d'Epi
Nous fournit la croissance épitaxiale de MBE/MOCVD de la structure faite sur commande sur le substrat de GaAs pour la microélectronique, optoélectronique et applications de micro-onde de rf, de diamètre Ø 3" à Ø 4". Avec notre expérience étendue de MOCVD, nous pouvons élever l'alliage binaire (Lt-GaAs, hélas) ou l'alliage ternaire (AlGaAs, InGaAs, GaAsP, InGaP) sur le substrat de GaAs, des structures de super-réseau de couche de singel ou de multiple-couche avec la qualité cristalline supérieure pour répondre à un grand choix de besoins de dispositif. Nos experts fortement qualifiés peuvent travailler avec vous pour concevoir et optimiser votre structure de couche d'epi de GaAs. Veuillez nous contacter pour plus d'information produit ou discutez votre structure de couche d'epi.
Nos réacteurs sont configurés pour un grand choix de systèmes matériels et de conditions de traitement. Nous pouvons fournir l'épitaxie faite sur commande pour un grand choix d'applications de dispositif s'étendant de la LED aux HEMTs.
Capacité matérielle | Substrat | Taille de gaufrette |
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GaAs/GaAs | Gaufrette de GaAs | Jusqu'à 4 pouces |
Lt-GaAs/GaAs | Gaufrette de GaAs | Jusqu'à 4 pouces |
Hélas/GaAs | Gaufrette de GaAs | Jusqu'à 4 pouces |
InAs/GaAs | Gaufrette de GaAs | Jusqu'à 4 pouces |
AlGaAs/GaAs | Gaufrette de GaAs | Jusqu'à 4 pouces |
InGaAs/GaAs | Gaufrette de GaAs | Jusqu'à 4 pouces |
InGaP/GaAs | Gaufrette de GaAs | Jusqu'à 4 pouces |
GaAsP/GaAs | Gaufrette de GaAs | Jusqu'à 4 pouces |
Applications optoélectroniques :
Détecteurs photoélectriques, VCSELs, diodes lasers, LED, SOAs, guides d'ondes.
Applications électroniques :
FETs, HBTs, HEMTs, diodes, dispositifs à micro-ondes.
Structure de couche d'Epi (HEMT/HBT)
Croissance | MOCVD |
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Source de dopant | Le type de P/soit, le type de N/SI |
Couche de chapeau | Couche je-GaAs |
Couche active | couche de n-AlGaAs |
Couche de l'espace | couche d'i-AlGaAs |
Couche de tampon | Couche je-GaAs |
Substrat | Ø 3"/Ø 4" gaufrette de GaAs |
Personne à contacter: Daniel
Téléphone: 18003718225
Télécopieur: 86-0371-6572-0196