Le diamètre 3 pouces INP en céramique technique de 4 pièces de pouce a basé la gaufrette d'Epi

L'INP a basé la gaufrette d'Epi

Nous fournit la croissance épitaxiale de MBE/MOCVD de la structure faite sur commande sur le substrat d'INP pour la microélectronique, optoélectronique et applications de micro-onde de rf, de diamètre Ø 2" à Ø 4". Avec notre expérience étendue de MOCVD, nous pouvons élever l'alliage binaire (INP) ou l'alliage ternaire (InGaAs, InAlAs, InGaAsP) sur le substrat d'INP, des structures de super-réseau de couche de singel ou de multiple-couche avec la qualité cristalline supérieure pour répondre à un grand choix de besoins de dispositif. Nos experts fortement qualifiés peuvent travailler avec vous pour concevoir et optimiser votre structure de couche d'epi d'INP. Veuillez nous contacter pour plus d'information produit ou discutez votre structure de couche d'epi.

L'INP a basé la capacité de gaufrette d'Epi

Nos réacteurs sont configurés pour un grand choix de systèmes matériels et de conditions de traitement. Nous pouvons fournir l'épitaxie faite sur commande pour un grand choix d'applications de dispositif s'étendant de la LED aux HEMTs.