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gaufrette de CdSe CdTe ZnS ZnSe de Cd de gaufrette de 350um ZnO et gaufrette de ZnTe

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Image Grand :  gaufrette de CdSe CdTe ZnS ZnSe de Cd de gaufrette de 350um ZnO et gaufrette de ZnTe

Détails sur le produit:
Lieu d'origine: La Chine
Nom de marque: ZG
Certification: CE
Numéro de modèle: Milliseconde
Conditions de paiement et expédition:
Quantité de commande min: 1 morceau
Prix: USD10/piece
Détails d'emballage: Boîte en bois forte pour l'expédition globale
Délai de livraison: 3 jours ouvrables
Conditions de paiement: L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Capacité d'approvisionnement: 10000 morceaux par mois

gaufrette de CdSe CdTe ZnS ZnSe de Cd de gaufrette de 350um ZnO et gaufrette de ZnTe

description de
Application: dispositif de puissance, LED, capteur et détecteur Diamètre: Ø 1"/Ø 2"/Ø 3"/Ø 4"/Ø 6"
Épaisseur: 330 um | 350 um Catégorie: Catégorie de production/catégorie de recherches
Mettre en évidence:

gaufrette de 350um ZnO

,

gaufrette de CdSe ZnO de Cd

,

gaufrette de 350um ZnTe

 

Gaufrette de gaufrette, de Cd de ZnO, gaufrette de CdSe, gaufrette de CdTe, gaufrette de ZnS, gaufrette de ZnSe et gaufrette de ZnTe

 

Nous fournit la gaufrette de monocristal ZnO de grande pureté et le volume de ZnO pour le dispositif de puissance, les applications de LED, de capteur et de détecteur. Avec une structure cristalline idéale, la gaufrette de ZnO (oxyde de zinc) a une disparité de trellis de 2% à GaN, celui est beaucoup moins que la disparité de trellis de la gaufrette de saphir et sic de la gaufrette. La gaufrette de ZnO est une du substrat le plus approprié pour l'usage comme croissance épitaxiale de GaN et application large de semi-conducteur d'espace de bande. La gaufrette de ZnO sont fournies dans la forme carrée, non dopée, taille 10 x 10 x 0,5 millimètres, les doubles côtés ont poli la finition extérieure et orienté, notre gaufrette de haute qualité de ZnO ont été très utilisée pour la croissance de

dispositifs de base de nitrure. Veuillez nous contacter pour plus d'information produit.

 

Application de gaufrette de ZnO

 

La croissance épitaxiale de GaN Détecteurs UV
Dispositifs de puissance Dispositifs luminescents
Photovoltaïque Capteurs

 

Propriétés de gaufrette de ZnO

 
Formule chimique ZnO
Structure cristalline Hexagonal
Treillagez constant 3,3 A
Disparité de trellis avec GaN dans <0001> l'avion 9
Conduction thermique 0,006 calories/cm /K
Indice de réfraction 2.0681 / 2,0510
Visage poli identifié Zn - visage/O - visage

Spécifications produit

 
Croissance Hydrothermique
Le volume de ZnO/bloc 26,5 x 26,5 x 10 millimètres
Gaufrette de ZnO 10 x 10 x 0,5 millimètres
Orientation Visage du visage <0001> de Zn/O <000-1>
Résistivité 500 - 1000 ohm-cm
Surface deux côtés polis
Rugosité Ra <>
Paquet Boîte de Membrance

 

Coordonnées
HENAN ZG INDUSTRIAL PRODUCTS CO.,LTD

Personne à contacter: Daniel

Téléphone: 18003718225

Télécopieur: 86-0371-6572-0196

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