Pièces en céramique au nitrure d'aluminium

Pièces en céramique au nitrure d'aluminium

Grâce à ses propriétés d'isolation électrique et à son excellente conductivité thermique, la céramique en nitrure d'aluminium (AIN) est idéale pour les applications nécessitant une dissipation de chaleur.car il a un coefficient de dilatation thermique proche de celui du silicium et une excellente résistance au plasma, il est utilisé pour les composants des équipements de traitement des semi-conducteurs.

Les céramiques à base de nitrure d'aluminium (AIN) présentent des caractéristiques exceptionnelles comme indiqué ci-dessous:

• Bonnes propriétés mécaniques,
• Résistance à la flexion plus élevée que les céramiques Al2O3 et BeO,
• Résistance à haute température et à la corrosion.
• Haute conductivité thermique combinée à de bonnes propriétés isolantes électriques.
• Stabilité exceptionnelle lorsqu'il est exposé à de grandes quantités de sels fondus.
• Stabilité thermique inférieure ou égale à 1500 °C.
• Propriétés mécaniques favorables dans la gamme des températures élevées.
• Faible expansion thermique et résistance aux chocs thermiques.
• Caractéristiques optiques et acoustiques particulières.

Formation de la transformation

• Moulures par injection en céramique
• Fusion sous pression
• Presse isostatique à froid
• Presses à sec
• Coulée de rubans
• Machinerie de précision

Produits céramiques au nitrure d'aluminium:

• Radiateurs en céramique AlN pour systèmes à haute puissance
• Crêpe à AlN, cuvette d'évaporation Al et autres pièces résistantes à la corrosion à haute température.
• Substrats de cuivre directement liés (DBC)
• Barre en céramique AlN
• Waffle en céramique ALN
• Substrate en céramique ALN
• Chauffage en céramique AlN
• Formulaire personnalisé

Applications des composants céramiques en nitrure d'aluminium:

• Composants pour la technologie des semi-conducteurs
• Casque de circuits intégrés
• Substrate du module thermique
• Substrate de module de transistors à haute puissance
• Substrate du dispositif à haute fréquence
• Plaque d'isolation exothermique pour les modules thyristoriques
• Laser semi-conducteur, substrat fixe pour diode électroluminescente (LED)
• Module intégré hybride, module de dispositif d'allumage
• Utilisé dans le frittage de céramiques structurelles.
• AlN Crucible pour la fusion des métaux et des cigarettes électroniques
• Applique aux matériaux lumineux.
• Appliqué sur le matériau du substrat

Le nitrure d'aluminium (AlN) a un écart de bande maximal de 6,2 eV, ce qui offre un rendement de conversion photoélectrique plus élevé que les semi-conducteurs à écart de bande indirect.En tant que matériau luminescent bleu et ultraviolet importantEn outre, l'AlN peut former des solutions solides continues avec des composés de nitrure du groupe III tels que GaN et InN,et ses alliages tri- ou quadratiques peuvent fournir un intervalle de bande continuellement réglable de la plage UV visible à profonde, ce qui en fait un matériau luminescent très efficace.

Les cristaux d'AlN sont des substrats idéaux pour les matériaux épitaxiaux GaN, AlGaN et AlN. Comparés aux substrats de saphir ou de SiC, l'AlN présente une compatibilité thermique et chimique supérieure avec le GaN,ainsi qu'une tension inférieure entre le substrat et la couche épitaxiennePar conséquent, un cristal d'AlN en tant que substrat épitaxial de GaN peut réduire considérablement la densité des défauts de l'appareil, améliorer les performances de l'appareil et a des applications prometteuses à haute température, à haute fréquence,et les appareils électroniques à haute puissance.

En outre, the AlGaN epitaxial material substrate with AlN crystal as the high-Al component can effectively reduce the defect density of the nitride epitaxial layer and significantly improve the performance and lifespan of nitride semiconductor devices.

Spécification commune du substrat céramique ALN:

Longueur et largeur: 25,4 mm; 50,8 mm; 63,5 mm; 76,2 mm; 101,6 mm; 114,3 mm; 127 mm; 152,4 mm.

Épaisseur: 0,25 mm; 0,5 mm; 0,63 mm; 1 mm; 1,5 mm; 2 mm.