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Aperçu Produitscéramique de carbure de silicium

Les plateaux Sic en carbure de silicium comme support de gaufre pour le processus de gravure ICP dans l'industrie LED

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Les plateaux Sic en carbure de silicium comme support de gaufre pour le processus de gravure ICP dans l'industrie LED

Les plateaux Sic en carbure de silicium comme support de gaufre pour le processus de gravure ICP dans l'industrie LED
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Image Grand :  Les plateaux Sic en carbure de silicium comme support de gaufre pour le processus de gravure ICP dans l'industrie LED

Détails sur le produit:
Lieu d'origine: Chine
Nom de marque: ZG
Certification: CE
Numéro de modèle: Milliseconde
Conditions de paiement et expédition:
Quantité de commande min: 1 pièces
Prix: 10USD/PC
Détails d'emballage: Boîte en bois solide pour le transport maritime mondial
Délai de livraison: 7 jours ouvrables
Conditions de paiement: L / C, D / A, D / P, T / T, Western Union, Moneygram
Capacité d'approvisionnement: 1000 pièces
Contact

Les plateaux Sic en carbure de silicium comme support de gaufre pour le processus de gravure ICP dans l'industrie LED

description de
Mettre en évidence:

Plateaux de carbure de silicium pour support de gaufre

,

Plateaux de carbure de silicium pour l'industrie

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Plateaux de carbure de silicium à gravure ICP

Les plateaux en carbure de silicium, comme support de gaufre pour le processus d'incision ICP dans l'industrie LED

 

Le carbure de silicium (SiC) est un matériau qui a une excellente conductivité thermique, une résistance à la corrosion et une faible expansion thermique.Les plateaux en carbure de silicium présentent une excellente résistance à la corrosionNous fournissons de nombreuses tailles de plateaux de carbure de silicium ainsi que d'autres produits SiC.

 

Propriétés des matériaux:

Les plateaux Sic en carbure de silicium comme support de gaufre pour le processus de gravure ICP dans l'industrie LED 0

Processus de fabrication:

Les plateaux Sic en carbure de silicium comme support de gaufre pour le processus de gravure ICP dans l'industrie LED 1

 

Propriétés des plateaux de carbure de silicium

Formule composée SiC
Poids moléculaire 40.1
Apparence Noir
Point de fusion 2,730° C (4,946° F) (décompose)
Densité 30,0 à 3,2 g/cm3
Résistance électrique 1 à 4 10x Ω-m
Ratio de Poisson 0.15 contre 0.21
Température spécifique 670 à 1180 J/kg-K


Spécifications du plateau de carbure de silicium

Le type SiC recristallisé SiC sintré SiC lié par réaction
Pureté du carbure de silicium 990,5% 98% > 88%
Max. Temps de travail. 1650 1550 1300
Densité en vrac (g/cm3) 2.7 3.1 > 3
Apparence Porosité < 15% 2.5 0.1
Résistance à la flexion (MPa) 110 400 380
Résistance à la compression (MPa) > 300 2200 2100
Expansion thermique (10^-6/`C) 4.6 (1200 ̊C) 4.0 (< 500 ̊C) 4.4 (< 500 ̊C)
Conductivité thermique (W/m.K) 35 à 36 110 65
Principales caractéristiques Haute température, haute résistance.
Haute pureté		 Dureté de la fracture Résistance chimique


Exigence de caractéristique:

  1. Excellente conductivité thermique
  2. Résistant au choc plasma
  3. Bonne homogénéité de température


Applications des plateaux de carbure de silicium

- Le carbure de silicium peut être appliqué dans des domaines tels que les semi­conducteurs et les revêtements.
- Nos plateaux en carbure de silicium sont largement utilisés dans l'industrie des LED.

Emballage du carbure de silicium

Nos plateaux en carbure de silicium sont soigneusement manipulés pour minimiser les dommages pendant le stockage et le transport et pour préserver la qualité de nos produits dans leur état d'origine.

 

Contrôle de la qualité:

Les plateaux Sic en carbure de silicium comme support de gaufre pour le processus de gravure ICP dans l'industrie LED 2

 

Produit Tag:

Cylindre SIC en céramique de 99%,

Cylindre de carbure de silicium d'industries de semi-conducteur,

Becs acides sic sulfuriques d'atomiseur

Coordonnées
HENAN ZG INDUSTRIAL PRODUCTS CO.,LTD

Personne à contacter: Daniel

Téléphone: 18003718225

Télécopieur: 86-0371-6572-0196

Envoyez votre demande directement à nous (0 / 3000)

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